台积电将在017年为客户提供10nm和7nm FinFET晶体管代工技术

乌木

      [前进者讯]据悉台湾半导体制造公司（TSMC）已经重申，将兴建其首座450毫米（18英寸）的中试生产线将在2016年到2017年为客户提供10nm和7nm FinFET晶体管代工技术。
       台积电也希望采用极端紫外线（EUV）光刻技术来生产10nm芯片，相关生产设备将在2017年底进场。
台积电300mm晶圆厂经营副总裁表示，设备供应商之前对是否生产18英寸晶圆制造设备犹豫不决，不过，业内人士现在意识到晶圆过渡到18英寸的必要性。目前，每一个主要的设备制造商，他们R&D资本支出当中，有15%拨给18英寸晶圆生产设备开发制造。
      台积电希望到2015年底，完成安装18英寸晶圆制造所需大部分设备，并预计在2016年和2017年之间建造其第一个18英寸的中试线。台积电的18英寸设备将主要代工生产出10nm和7nm芯片。