美光的首款相变内存采用45nm工艺制造,1Gb PCM颗粒加512Mb LPDDR2颗粒通过多芯片封装(MCP)方式组合在一起而成,二者共享LPDDR2系统接口,可简化软件开发并支持LTE Modem。今天发布的改成了512Mb PCM、512Mb LPDDR2的组合,可根据应用需要提供更大的灵活性。
二者都采用121-ball WFBGA封装,运行电压1.8V,数据总线宽度16-bit,耐受温度范围-20~+85℃。
美光还同时宣布,1Gb+512Mb的正在大批量出货,并得到了诺基亚的青睐,已用于其新款Asha系列手机中,而诺基亚也是对美光的这种相变内存赞赏有加。
美光相变内存目前主要面向传统的功能性手机,未来会争取进入智能手机和平板机。
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